Toshiba จัดส่งชิป Flash ความจุสูงขึ้นตั้งแต่เดือนกรกฎาคม

การจัดส่งจากกลางปีนี้หน่วยความจำแฟลชชิพที่แน่นมากขึ้นกว่ารุ่นปัจจุบันและจะทำให้แกดเจ็ตที่เป็นไปได้แม้แต่น้อย

ชิปตัวใหม่นี้จะสร้างขึ้นบนสายการผลิตที่สามารถสร้างชิพด้วยประตูทรานซิสเตอร์ได้เพียง 32 นาโนเมตร ในขนาด. นาโนเมตรเป็นหนึ่งพันล้านของมิเตอร์และการวัดขนาดประตูเป็นการวัดโดยใช้เทคโนโลยีการผลิตชิพ เนื่องจากขนาดของเกทจะทำให้ทรานซิสเตอร์มีขนาดเล็กลงสามารถติดตั้งบนชิปและความจุหรือพลังงานเพิ่มขึ้น

ในกรณีของชิปแฟลชของโตชิบาซึ่งเป็น บริษัท แรกของโลกในระดับนี้ สามารถอัดข้อมูล 32Gbits (4GB) บนชิปตัวเดียวได้ การ์ดหน่วยความจำแฟลชและหน่วยความจำ USB มักประกอบด้วยชิพหลายตัวเช่น

ตัวอย่างของชิปตัวใหม่นี้มีวางจำหน่ายในวันจันทร์และ Toshiba วางแผนจะเริ่มผลิตเชิงพาณิชย์ในเดือนกรกฎาคมซึ่งเป็นเวลาสองเดือนก่อนกำหนด ในขณะเดียวกัน บริษัท จะเริ่มนำเสนอชิปตัวอย่างที่มีความจุ 16GB (2GB) ที่สร้างขึ้นในสายการผลิตเดียวกันที่โรงงาน Yokkaichi ในเมือง Mie ประเทศญี่ปุ่น

ปัจจุบันอุตสาหกรรมชิพกำลังดำเนินการผลิต 32nm อินเทลซึ่งเป็นผู้ผลิตชิปรายใหญ่ที่สุดของโลกจะนำมาใช้ในปลายปีนี้กับโปรเซสเซอร์ใหม่ที่คาดว่าจะมีประสิทธิภาพมากขึ้นกว่ารุ่นปัจจุบันด้วยความก้าวหน้าด้านเทคโนโลยีขั้นสูง